制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:6 A

增益带宽产品fT:3 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:TIP41

直流电流增益 hFE 最大值:75

封装:Tube

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

Pd-功率耗散:65 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors